[发明专利]具有热内表面的小体积处理室有效
| 申请号： | 200480038467.X | 申请日： | 2004-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1898774A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | A·D·拜利三世;T·倪 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京;黄力行 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种处理基板的系统及方法包括将基板装载到等离子体室中和将等离子体室的压力设定为预定压力设定值。限定等离于体区的多个内表面被加热到大于约200℃的处理温度。处理气体被注入等离子体区内，以形成等离子体，且基板被处理。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面 体积 处理 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板的方法，包括：将基板装载到等离子体室中；将所述等离子体室的压力设定为预定压力设定值；加热限定等离子体区的多个内表面到大于约200℃的处理温度；将处理气体注入所述等离子体区内，以形成等离子体；及处理所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
