[发明专利]化学氧化物去除系统和方法有效
| 申请号： | 200480038035.9 | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1898772A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 亚瑟·H·小拉弗拉弥;托马斯·哈梅林;杰伊·华莱士 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化学氧化物去除(COR)处理系统，其中所述COR系统包括第一处理室和第二处理室。所述第一处理室包括化学处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。所述第二处理室包括热处理室，提供具有保护阻挡层的温度受控室。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 氧化物 去除 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.用于处理衬底的减少维护处理系统，包括：用于使所述衬底上的暴露表面层发生化学变化的化学处理系统，所述化学处理系统包括温度受控化学处理室，所述化学处理室具有在至少部分内表面上形成的保护阻挡层；用于对所述衬底上的已发生化学变化的表面层进行热处理的热处理系统，所述热处理系统包括温度受控热处理室，所述热处理室具有在至少部分内表面上形成的保护阻挡层；和连接至所述热处理系统和所述化学处理系统的热绝缘组件。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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