[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明的半导体发光元件，由叠层氮化镓类化合物半导体层的n型层(3)与p型层(5)形成发光部而形成半导体叠层部(6)，在该半导体叠层部表面设置有透光性导电层(7)。去除该透光性导电层的一部分、与露出的半导体叠层部的表面和透光性导电层相接触而设置有上部电极(8)。其构成为：在从透光性导电层的开口部(7a)露出的半导体叠层部表面上设置电流抑制机构(10)，确保上部电极与半导体叠层部表面的密合性，同时大幅度地抑制电流向上部电极的下侧流动。其结果是，能够得到通过抑制上部电极下侧的发光而提高外部量子效率，同时能够提高上部电极与半导体层的密合性的使用氮化镓类化合物的半导体发光元件。

主权项

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具有：叠层氮化镓类化合物半导体层的n型层和p型层，形成发光部的半导体叠层部；设置在该半导体叠层部表面的透光性导电层；和去除该透光性导电层的一部分、与露出的所述半导体叠层部的表面和所述透光性导电层相接触而设置的上部电极，该半导体发光元件构成为：通过在去除所述透光性导电层的一部分而露出的所述半导体叠层部表面上设置电流抑制机构，确保所述上部电极与所述半导体叠层部表面的密合性，同时抑制电流向该上部电极的下侧流动。