[发明专利]薄膜集成电路器件的制造方法,非接触薄膜集成电路器件及其制造方法,以及包含非接触薄膜集成电路器件的ID标签和硬币

摘要

为了提供以低成本大量生产的薄膜集成电路，根据本发明的薄膜集成电路的制造方法包括下列步骤：在衬底上面形成剥离层；在剥离层上面形成底部薄膜；在底部薄膜上面形成多个薄膜集成电路器件；在多个薄膜集成电路器件之间的边界处形成凹槽；以及在凹槽中引入包含卤素氟化物的气体或液体，从而去除剥离层；因而使多个薄膜集成电路器件相互分离。

主权项

1.一种薄膜集成电路器件的制造方法，包括下列步骤：在衬底上方形成剥离层；在所述剥离层上方形成底部薄膜；在所述底部薄膜上方形成多个薄膜集成电路器件；在所述多个薄膜集成电路器件之间的边界处形成凹槽；以及在所述凹槽中引入包含卤素氟化物的气体或液体，由此去除所述剥离层，由此使所述多个薄膜集成电路器件分离。