[发明专利]半导体晶片载体容器有效
| 申请号： | 200480036937.9 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1890793A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 坂本贵树;白发准;小林隆行;近内则行 | 申请（专利权）人： | 富士塑料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;B65D85/86 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;邹雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 是由载置半导体晶片载体的容器本体(1)和覆盖该容器本体(1)的盖(2)构成的半导体晶片载体容器，以上述容器本体(1)由包含热塑性树脂(a1)和碳纤维(a2)的树脂组合物(A)模塑而成，该容器本体(1)的表面电阻率是102～1012Ω/□，上述盖由包含热塑性树脂(b1)和是有机化合物的抗静电剂(b2)的树脂组合物(B)进行模塑而成，该盖2的表面电阻率是103～1013Ω/□，而且该盖(2)具有透明性为特征的半导体晶片载体容器，按照该半导体晶片载体容器，能够提供抗静电性优良、污染防止性优良、耐擦伤性优良、而且内部目视性也优良的半导体晶片载体容器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 载体 容器 | ||
【主权项】：
1.半导体晶片载体容器，它是由载置半导体晶片载体的容器本体和覆盖该容器本体的盖构成的半导体晶片载体容器，其特征在于，上述容器本体由包含热塑性树脂(a1)和碳纤维(a2)的树脂组合物(A)模塑而成，该容器本体的表面电阻率是102～1012Ω/□，上述盖由包含热塑性树脂(b1)和作为有机化合物的抗静电剂(b2)的树脂组合物(B)模塑而成，该盖的表面电阻率是103～1013Ω/□，而且该盖具有透明性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
