[发明专利]基于金属－硫属元素－卤素体系的准一维聚合物无效
| 申请号： | 200480036556.0 | 申请日： | 2004-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1890182A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 阿道夫·耶西赫;德拉甘·米哈伊洛维奇;马亚·雷姆斯卡;阿莱斯·姆尔泽;丹尼尔·弗尔巴尼克 | 申请（专利权）人： | 约塞夫史蒂芬学院 |
| 主分类号： | C01G39/00 | 分类号： | C01G39/00;C01G41/00;C01G1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 斯洛文尼亚*** | 国省代码： | 斯洛文尼亚;SI |
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| 摘要： | 本发明涉及具有亚微米横截面的准一维材料，以化学式M6CyHz表述，其中M＝过渡金属元素，C＝硫属元素，H＝卤素，并且其中y和z是整数，使得8.2＜y+z＜10，所述材料在高于1000℃的温度下以一步法合成。本发明还涉及这些材料在电子学、化学、光学或机械应用中的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 元素 卤素 体系 准一维 聚合物 | ||
【主权项】：
1.通式为M6CyHz的材料，其中M指定过渡金属，C指定硫属元素，H指定卤素，并且其中y和z可以是0-10，使得8.2＜y+z＜10，所述材料以纳米线、纳米绳、纳米棒、须或针的形式生长，并且可以通过包括以下步骤的方法得到：以所期望的质量比混合组成元素，将它们置于合适的容器中，将容器抽真空，并将其加热到高于1000℃的温度保持预定长的时间。
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