[发明专利]处理粉末颗粒的方法无效
| 申请号： | 200480036244.X | 申请日： | 2004-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1890817A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 沃克尔·戈耶;马瑞特·考克;简·拉多加;泰特·沃瑞马;马瑞·阿托萨尔 | 申请（专利权）人： | 绍于腾玻璃集团公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;C30B29/46 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种处理含有Cu(In，Ga)Se2化合物的粉末颗粒的方法，根据这一方法，粉末颗粒和硫被加入到一个器皿，所述器皿中所提及的物质加热，并在一个恒定温度下保持一段时间。本发明还涉及一种由一个静合触点、一个单粒膜、至少一层半导体层和一个动合触点组成的单粒膜太阳能电池。所述太阳能电池的特征在于单粒膜含有根据本发明的方法处理过的粉末颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 粉末 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
1、一种处理含有Cu(In，Ga)Se2化合物的粉末颗粒的方法，其特征在于，所述的粉末颗粒和一定数量的硫被置入一个器皿中，包含粉末颗粒和硫的器皿内含物加热，并且在恒定温度下保持一段时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
