[发明专利]电子装置和半导体装置以及用于制造这些装置的方法有效
| 申请号: | 200480035990.7 | 申请日: | 2004-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN1890788A | 公开(公告)日: | 2007-01-03 |
| 发明(设计)人: | 桑原秀明;山崎舜平;前川慎志;中村理 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/288;H01L21/3205;H01L29/786 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘红;张志醒 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 可以想象的是,在制造大面积显示器中,信号被导线的电阻延迟的问题变得非常显著。本发明提供了一种使用适合于大尺寸衬底的通过微滴排放方法的制造过程。在本发明中,预先在衬底上形成增强粘附性的基层11(或者基底预处理)并形成绝缘膜之后,形成具有期望图案形状的掩模并通过使用该掩模形成期望的凹陷。在具有掩模13和绝缘膜制成的侧壁的凹陷中通过微滴排放方法填充金属材料,以形成嵌入导线(栅电极、电容器导线、引线等)。其后,通过平坦化处理使其平坦,例如挤压或者CMP处理。 | ||
| 搜索关键词: | 电子 装置 半导体 以及 用于 制造 这些 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:形成在具有绝缘表面的衬底上的基层;形成在所述基层上的绝缘层和至少栅导线和栅电极之一;形成在所述栅导线和栅电极之一上的栅绝缘膜;位于所述栅绝缘膜之上的包括至少沟道形成区域的薄膜晶体管的有源层;形成在所述有源层之上的源导线和电极;和形成在所述电极上的像素电极;其中所述栅导线和栅电极之一包含树脂并与绝缘层具有相同的薄膜厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





