[发明专利]薄膜晶体管、显示器件和液晶显示器件、及其制造方法有效
| 申请号： | 200480035952.1 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1890787A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;前川慎志;神野洋平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/288;H01L21/3205;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 随着布线变厚，覆盖此布线的绝缘膜的不连续性已经成了问题。难以形成用于目前高分辨率显示器件的薄膜晶体管的宽度足够小的布线。随着布线被做得更薄，布线电阻造成的信号延迟已经成了问题。考虑到上述各问题，本发明提供了一种结构，其中，导电膜被形成在绝缘膜的孔中，且导电膜与绝缘膜的表面是平坦的。结果，能够防止覆盖导电膜和绝缘膜的薄膜的不连续。借助于控制孔的宽度，能够将布线做得更细。而且，借助于控制孔的深度，能够将布线做得更厚。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 器件 液晶显示 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包含：导电膜，该导电膜被提供成镶嵌在第一绝缘膜中；第二绝缘膜，该第二绝缘膜被提供来覆盖第一绝缘膜和导电膜；以及半导体膜，该半导体膜被提供在第二绝缘膜上，其中，第一绝缘膜和导电膜具有几乎平坦的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480035952.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
