[发明专利]金属碳化物栅极结构和制造方法有效
| 申请号： | 200480035163.8 | 申请日： | 2004-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101151724A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 小西里尔·卡布拉尔;克里斯托弗·德塔沃尼尔;拉贾劳·加米;凯瑟琳·L.·萨恩格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件比如包括至少一个FET的互补金属氧化物半导体(CMOS)和制造方法，该FET包括栅电极，该栅电极包括金属碳化物。CMOS包括双功函数的金属栅电极，其中通过金属和金属的碳化物提供该双功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 碳化物 栅极 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括至少一个场效应晶体管(FET)，该晶体管具有通过使金属层和含碳层反应获得的金属碳化物栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480035163.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发动机控制装置
- 下一篇：电梯的功能可变型远程监视系统以及远程监视方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
