[发明专利]具有磁场传感器的MRAM芯片的非均匀屏蔽有效
| 申请号： | 200480034657.4 | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1886800A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 汉斯·M·B·贝维 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 覃鸣燕 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种磁阻存储器器件(30)，包括磁阻存储器元件(10)阵列(20)和至少一个磁场传感器元件(32)，其中磁阻存储器器件(30)包括部分或非均匀屏蔽装置(40，41)，以至于与所述至少一个磁场传感器元件(32)相比，有差别地将所述磁阻存储器元件(10)阵列(20)从外部磁场屏蔽开。“有差别地”表示有5％的最小屏蔽差别，优选是10％的最小屏蔽差别。本发明还提供相应的屏蔽方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 磁场 传感器 mram 芯片 均匀 屏蔽 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻存储器器件(30)，包括磁阻存储器元件(10)阵列(20)和至少一个磁场传感器元件(32)，其中所述磁阻存储器器件(30)包括部分或非均匀屏蔽装置(33；40，41)，以至于与所述至少一个磁场传感器元件(32)相比，有差别地将所述磁阻存储器元件(10)阵列(20)从外部磁场屏蔽开，有至少5％的屏蔽差别。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480034657.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型大中型高炉炉底炉缸结构
- 下一篇：半模基片集成波导
