[发明专利]基板处理装置、基板保持器、和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200480034610.8 | 申请日： | 2004-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1886829A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 山口天和;盛满和广 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/205;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于消除因构成基板保持器的支柱和基板承载部等影响造成的基板上的膜厚不均匀部分，提高基板的膜厚均匀性。在基板处理装置中，将由舟(基板保持器)保持的多片晶片(基板)收纳在处理室内，将处理气体提供给已被加热的处理室，对晶片进行成膜处理。舟具有：大致垂直设置的至少3个支柱(15)；分多层地被设置在支柱上并按照规定间隔大致水平地承载多片晶片的多个晶片支承部(基板承载部)(16)；被设置在支柱(15)上并相对于被支承在晶片支承部(16)上的晶片而言按照规定间隔大致水平地设置的多个环状板(13)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 保持 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置具有：可保持多个基板的基板保持器；收纳由上述基板保持器保持的基板的处理室；对该处理室进行加热的加热机构；向由上述加热机构进行加热的处理室提供处理气体以对上述基板进行处理的气体供给机构，上述基板保持器具有：大致垂直设置的至少3个支柱、多个基板承载部和多个环状板，所述多个基板承载部分多层地被分别设置在上述支柱上，按照规定的间隔大致水平地承载上述多个基板；所述多个环状板被分别设置在上述支柱上，并且相对于由上述基板承载部支承的基板而言以规定的间隔大致水平地设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
