[发明专利]在大批量制造中的背研磨期间保护薄半导体晶片无效

专利信息
申请号: 200480034148.1 申请日: 2004-11-03
公开(公告)号: CN1883033A 公开(公告)日: 2006-12-20
发明(设计)人: M·维斯尔曼;K·佩特科弗;R·梅特;M·S·维斯尼斯基;J·博伊德 申请(专利权)人: 先进医疗科学股份有限公司
主分类号: H01L21/30 分类号: H01L21/30;H01L21/46
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 张政权
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于在工艺过程中保护半导体晶片的保护盘片,包括一个被配置为粘结到半导体晶片上的粘结层,和一个连接到粘结层上的支撑层,其用于在工艺过程中为半导体晶片提供强度和硬度。在本发明的一方面,保护盘片可溶于温和的碱性或酸性溶液。在另一方面,粘结层包括高分子聚合物。在又一方面,支撑层包括聚合物和填充物。本发明为将半导体晶片减薄到150μm以下及其后续的应力释放,传送至划片框以用于管芯切割的步骤提供一种可靠的、低成本、大批量、自动化工艺。此外,本发明可以使用现有的工具和工艺来生产出比常规工艺可获得的衬底更薄的衬底。
搜索关键词: 大批量 制造 中的 研磨 期间 保护 半导体 晶片
【主权项】:
1.一种用于在工艺过程中保护半导体晶片的保护盘片,其包括:粘结层,其被配置为粘结到半导体晶片上;和连接到所述粘结层的支撑层,其被配置为用于在工艺过程中支撑半导体晶片。
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