[发明专利]纳米级晶体硅粉末有效
| 申请号： | 200480034131.6 | 申请日： | 2004-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1882503A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·普雷德尔;保罗·罗特;哈特穆特·维格斯;弗兰克－马丁·彼得拉特;米夏尔多·克雷默 | 申请（专利权）人： | 德古萨股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/029;C01B33/03;C01B33/06;C01G17/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国杜塞*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了BET表面积为20－150m2/g的聚集的晶体硅粉末。它是通过如下步骤制得的：使至少一种蒸气的或气态的硅烷和任选存在的至少一种蒸气的或气态的掺杂物质、惰性气体和氢气在热壁反应器中受热，将反应混合物冷却或者待反应混合物冷却并将粉末状反应产物与气态物质分离，其中相对于硅烷、掺杂物质、氢气和惰性气体之和，硅烷的比例在0.1－90重量％之间，并且其中相对于氢气、硅烷、惰性气体和掺杂物质之和，氢气的比例在1摩尔％－96摩尔％的范围内。所述聚集的晶体硅粉末可用于制备电子元件。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体 粉末 | ||
【主权项】：
1、聚集的晶体硅粉末，特征在于它具有20-150m2/g的BET表面积。
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