[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200480034097.2 | 申请日： | 2004-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1883058A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 市原隆志;三贺大辅;楠濑健;山田孝夫 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体元件及其制造方法，该半导体元件具有：具有相对置的一对主面的基板(11)；层叠在基板(11)的一方主面上的第一传导型半导体层；层叠在第一传导型半导体层上的第二传导型半导体层；形成于第一传导型半导体层与第二传导型半导体层之间的活性层(14)；以及形成于第二传导型半导体层上，反射从活性层(14)朝向第二传导型半导体层的光的反射层(16)。该氮化物半导体发光元件将上述基板11的另一方的主面作为主光取出面可以安装在布线基板上。再者，在反射层(16)与第二传导型半导体层之间形成有透光性导电层(17)，在透光性导电层(17)与反射层(16)的界面形成有凹凸面(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，具有：具有相对置的一对主面的基板(11)；在上述基板(11)的一方的主面上的第一传导型半导体层；在上述第一传导型半导体层上的第二传导型半导体层；形成于上述第一传导型半导体层与第二传导型半导体层之间的活性层(14)；以及形成于上述第二传导型半导体层上，用于使从上述活性层(14)朝向上述第二传导型半导体层的光反射的反射层(16)；将上述基板(11)的另一方的主面作为主光取出面，其特征在于，在上述反射层(16)和第二传导型半导体层之间形成有透光性导电层(17)，在上述透光性导电层(17)和上述反射层(16)的界面形成凹凸面(22)而构成。
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