[发明专利]用于确定与半导体工艺步骤有关的蚀刻偏置的测试装置和方法无效
| 申请号： | 200480033983.3 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1883049A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | J·C·李;小R·L·皮尔森;B·S·巴拉 | 申请（专利权）人： | 洛克威尔科学许可有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于确定与半导体工艺步骤有关的蚀刻偏置的测试装置，该装置包括：基底、在基底上具有第一宽度的第一阴极指状件、在基底上具有第二宽度的第二阴极指状件，以及在基底上的阴极大区域，其中阴极大区域具有实质上都大于第一和第二宽度任一个的第三宽度W″和长度L″。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 半导体 工艺 步骤 有关 蚀刻 偏置 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于确定与半导体工艺步骤有关的蚀刻偏置的测试装置，该装置包括：基底；在所述基底上具有第一宽度的第一阴极指状件；在所述基底上具有第二宽度的第二阴极指状件；以及，在所述基底上的阴极平台；其中，所述阴极平台具有第三宽度W″和长度L″，两者都实质上大于所述第一和第二宽度的任一个。
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