[发明专利]在EEPROM单元内形成低电压栅氧化层和隧道氧化层的方法有效
| 申请号： | 200480033548.0 | 申请日： | 2004-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1883039A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | A·L·雷宁格;J·J·沈 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种制造具有低电压逻辑门层(94下的92；56)和隧道氧化层(86下的92；58)的非易失性存储器嵌入式逻辑电路的方法(图2A－2C)。低电压逻辑门氧化层和隧道氧化层都在单个步骤中形成(图3A(vi)和图3B(vi))，从而减少了形成器件所需的总的工艺步骤数。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 单元 形成 电压 氧化 隧道 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成非易失性存储器嵌入式逻辑电路的方法，包括步骤如下：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成绝缘结构以限定第一器件区和第二器件区；同时在所述第一和第二器件区上形成第一氧化层，所述第一氧化层在所述第二器件区内形成高电压逻辑门氧化层；蚀刻在所述第一器件区内的所述第一氧化层以暴露所述衬底；在所述第一器件区内形成第二氧化层，提供在所述第一器件区内的隧道氧化层；以及在所述第二氧化层的顶部形成浮动栅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
