[发明专利]具有分段的字线和位线的MRAM阵列无效
申请号: | 200480033163.4 | 申请日: | 2004-02-27 |
公开(公告)号: | CN1879172A | 公开(公告)日: | 2006-12-13 |
发明(设计)人: | 臧大化;R·P·莫里斯 | 申请(专利权)人: | 磁旋科技公司 |
主分类号: | G11C11/14 | 分类号: | G11C11/14 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种用于提供和使用磁随机存取存储器(MRAM)阵列的方法和系统。该方法和系统包括提供磁存储器单元(C11-C44),全局字线(102,114)和全局字线段(170-182),全局位线(104,108,116,120)和位线段(150,164),以及选择器件(T1a-T4a)。每一字线段(170)都与至少一个全局字线(102)连接,以便字线段(170-182)是可选的。每一字线段(170)也都连接到磁存储器单元(C11-C44)的一部分。每一位线段(150)都与至少一个全局位线(104)连接,以便位线段(150-164)是可选的。每一位线段(150)都邻近于并且用于写入到磁存储器单元(C11-C44)的一部分。位线段(150-164)与字线段(170-182)连接在一起并且可用该多个选择器件(T1a-T4a)选择。 | ||
搜索关键词: | 具有 分段 mram 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种磁随机存取存储器阵列,包括:多个磁存储器单元;多个全局字线;多个字线段,所述多个字线段的每一个都与所述多个全局字线的至少一个相连接,使得所述多个字线段是可选的,所述多个字线段的每一个都连接到所述多个磁存储器单元的第一部分{Stone,我将“第一部分”放回原处因为否则所述权利要求将会是每一段都连接到所有的磁存储器单元,这是不正确的。而是,每一段都连接到一些磁存储器单元};多个全局位线;多个位线段,所述多个位线段的每一个都与所述多个全局位线的至少一个相连接,使得所述多个位线段是可选的,所述多个位线段的每一个都邻近所述多个磁存储器单元的第二部分,以写入到所述多个磁存储器单元的第二部分{Stone,由于与上面相同的原因,我将“第二部分”放回原处。每一位线段只是连接到存储器中的一些磁存储器单元,而不是所有的磁存储器单元};以及多个选择器件,所述多个位线段和多个字线段是连接的,并且可使用所述多个选择器件选择。
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