[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法有效
| 申请号： | 200480033020.3 | 申请日： | 2004-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1879195A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 所附一之;中岛理博;宫本佳幸;深山吉生 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造半导体集成电路器件的方法，其中能够实时探测不合规范的缺陷晶片。异常探测服务器(5)将从用于处理半导体晶片的半导体制造设备输出的设备日志数据存储在设备日志数据存储部分(10)中。之后，当批结束信号接收部分(12)接收到从半导体制造设备输出的批结束信号时，异常数据探测部分(15)参考存储在第一探测条件存储部分(13)中的异常探测条件设定文件(13a)，并且然后基于所参考的内容，判断在设备日志数据存储部分(10)中存储的设备日志数据中是否存在异常数据。在探测到任何异常时，异常数据探测部分(15)将探测结果输出到技术人员PC或操作者终端设备。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括：(a)在设备日志数据存储器中存储设备日志数据，所述设备日志数据是从处理半导体晶片的半导体制造设备输出的数据并且表示所述半导体制造设备的状态；(b)在异常数据探测器处探测在所述设备日志数据存储器中存储的所述设备日志数据中是否有异常数据；以及(c)将在所述异常数据探测器处探测的结果输出到结果输出部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
