[发明专利]半导体器件形成期间用于垂直定向电容器的支撑无效
| 申请号： | 200480032909.X | 申请日： | 2004-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1879211A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | M·H·曼宁 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成用于半导体器件的双侧电容器的方法包括形成在晶片加工期间支撑电容器底板(110)的介电结构(86)。该结构特别有助于在除去基底介电层(84)以暴露底板外部以便形成双侧电容器期间支撑底板。该支撑结构进一步在单元介电层(200)、电容器顶板(202)、和最后的支撑电介质(204)形成期间支撑底板。还描述了发明结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 期间 用于 垂直 定向 电容器 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：在基底介电层内形成多个容器式电容器底板；在每个电容器底板周围形成支撑环，该支撑环中具有暴露基底介电层的多个开口；以及通过该环中的开口刻蚀基底介电层以暴露该多个容器式电容器底板的侧壁，其中在刻蚀基底介电层之后，支撑环支撑该多个容器式电容器底板中的每一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
