[发明专利]制造鳍型场效应晶体管的方法有效

申请号：	200480032293.6	申请日：	2004-11-05
公开（公告）号：	CN1875482A	公开（公告）日：	2006-12-06
发明（设计）人：	布伦特·A·安德森;爱德华·J·诺瓦克;杰德·H·兰金	申请（专利权）人：	国际商业机器公司
主分类号：	H01L27/01	分类号：	H01L27/01;H01L21/00;H01L21/84;H01L21/8238
代理公司：	北京市柳沈律师事务所	代理人：	李晓舒;魏晓刚
地址：	美国纽***	国省代码：	美国;US
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摘要：	本发明涉及FinFET结构以及形成FinFET器件的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底(100)；(b)在所述衬底(100)的顶表面(105)上形成电介质层(110)；(c)在所述电介质层(110)的顶表面(115)上形成硅鳍(135)；(d)在所述鳍(135)的至少一个侧壁(150A)上形成保护层(160)；以及(e)在所述鳍(135)的沟道区(175)中从所述至少一个侧壁(150A)去除所述保护层(160)。在第二实施例中，保护层(160)转变为保护间隔物(210A)。
搜索关键词：	制造场效应晶体管方法
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【主权项】：

1.一种形成FinFET器件的方法，包括：(a)提供半导体衬底；(b)在所述衬底的顶表面上形成电介质层；(c)在所述电介质层的顶表面上形成硅鳍；(d)在所述鳍的至少一个侧壁上形成保护层；以及(e)在所述鳍的沟道区中从所述至少一个侧壁去除所述保护层。

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