[发明专利]具有局部有效电感等离子体耦合的等离子体处理系统

摘要

一种电感耦合等离子体源设置由周界离子化源(39)用于在真空室(32)中产生高密度等离子体以用于半导体晶片涂覆或刻蚀。该源包括具有高辐射段和低辐射段的分段构造，并产生在绕室周围的等离子体中能量集中的基本环形阵列。能量从分段低电感天线(40)耦合通过电介质窗(25)或窗(25a)的阵列并通过分段屏蔽或挡板(50)。天线(40)具有集中导体段(45)，电流通过其在一个或多个小横截面的导体中流动以产生通过高透射率屏蔽段耦合到室中的高磁场，而由大横截面导体部分或分散的小导体部分形成的交替的分散导体段(46)允许磁场经过或位于导体之间并且仅传递弱磁场，其与不可透射屏蔽部分对准并将不显著的能量耦合到等离子体。该源提供了等离子体能量分布的空间控制，其帮助了在被处理的半导体表面上等离子体处理均匀性的控制。

主权项

1.一种电感耦合等离子体源，其用于在真空室中产生高密度电感耦合等离子体以用其处理半导体晶片，所述源包括：电介质室壁，其由电介质材料的至少一个部分形成并具有真空侧和大气侧；周界离子化源，其包括在所述电介质室壁的大气侧上的RF天线和在所述电介质室壁的真空侧上的保护屏蔽，所述屏蔽具有穿过其的槽并被构造为抑制材料从所述室沉积到所述电介质室壁的真空侧上，并帮助将RF能量从所述天线电感耦合通过所述屏蔽并电感耦合到所述室中；且所述周界离子化源具有交替的高辐射部分和低辐射部分的分段构造，所述高辐射部分和低辐射部分布置为环并定位为将功率以环状交替的高功率和低功率的分布形式通过所述电介质室壁耦合到所述室中。