[发明专利]修正温度均匀度的方法无效
| 申请号： | 200480031540.0 | 申请日： | 2004-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1871688A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | B·罗摩钱德兰;J·M·拉尼什;R·杰拉帕利;S·拉马默蒂;R·阿楚塔拉曼;B·哈斯;A·亨特 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请揭示一种在收容有微处理器制程的腔内，取得修正热传递分布的方法与设备，包含：估计该腔的热传递特性；估计晶片的热吸收特性；调整该腔的物理特征，以校正该热传递特性；及利用该腔，以制造微处理器。 | ||
| 搜索关键词： | 修正 温度 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在收容有微处理器制程的腔中取得修正热传递分布的方法，其至少包含以下步骤：估计该腔的热传递特性；估计晶片的热吸收特性；调整该腔的物理特征，以校正该热传递特性；及利用该腔，以制造微处理器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
