[发明专利]喷淋头以及使用这种喷淋头的成膜装置有效
| 申请号： | 200480031416.4 | 申请日： | 2004-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1871694A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 纲仓学;岩田辉夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种向成膜装置的处理容器内供给成膜用的原料气体与支援气体的喷淋头。它具备具有气体喷射面(8)的主体。在喷淋头主体内形成接受原料气体并使其扩散的第一扩散室(60)、接受支援气体并且使其扩散的第二扩散室(62)。在气体喷射面上形成与第一扩散室连通的原料气体喷射口(10A)、与第二扩散室连通的第一支援气体喷射口(10B)。各个第一支援气体喷射口(10B)形成分别接近原料气体喷射口(10A)并且环绕它们的环形。 | ||
| 搜索关键词： | 喷淋 以及 使用 这种 装置 | ||
【主权项】：
1.一种喷淋头，其特征在于：其是在处理容器内为了使薄膜堆积在被处理体的表面而向所述处理容器内的真空环境中供给原料气体与支援气体的喷淋头，其包括：具有面向所述处理容器内的气体喷射面的喷淋头主体；形成于所述喷淋头主体内，接受所述原料气体并使其扩散的第一扩散室；形成于所述喷淋头主体内，接受所述支援气体并使其扩散的第二扩散室；与所述第一扩散室连通并且形成于所述气体喷射面上的多个原料气体喷射口；和与所述第二扩散室连通并且形成于所述气体喷射面上的多个第一支援气体喷射口，其中，各个第一支援气体喷射口分别接近所述原料气体喷射口而形成为将其环绕的环形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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