[发明专利]基于非易失性存储器单元的行为的编程方法有效

专利信息
申请号: 200480030734.9 申请日: 2004-10-12
公开(公告)号: CN1879175A 公开(公告)日: 2006-12-13
发明(设计)人: 陈建;杰弗里·W·卢策;李彦;丹尼尔·C·古特曼;田中智晴 申请(专利权)人: 桑迪士克股份有限公司;株式会社东芝
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 该用于编程一组存储器单元的处理是修改基于该等存储器单元的行为编程处理得以改进。例如,施加一组编程脉冲到一组快闪存储器单元的字线。对哪些存储器单元较易编程和哪些存储器单元较难编程作出判定。可基于哪些存储器单元较易编程和哪些存储器单元较难编程的所述判定来调整位线电压(或其它参数)。接着将藉由所述调整的位线电压(或其它参数)继续所述编程处理。
搜索关键词: 基于 非易失性存储器 单元 行为 编程 方法
【主权项】:
1.一种用于编程非易失性存储器的方法,包含:基于一组非易失性存储元件的行为而将所述非易失性存储元件分类为三个群组或三个以上群组;和为每一群组使用一不同编程条件来编程所述非易失性存储元件。
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