[发明专利]场效应晶体管、特别是垂直场效应晶体管、存储单元和制作方法有效
| 申请号： | 200480030422.8 | 申请日： | 2004-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1868063A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | H·图斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾珊;魏军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 给出了一种具有单晶控制区(34)的场效应晶体管的解释。该场效应晶体管(37)提供了用于电路设计的自由度，并且可以通过简单的方式制作。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 特别是 垂直 存储 单元 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(37)具有沟道区(24)，具有导电沟道连接区(25、30)，邻接于沟道区(24)，具有与沟道区(24)邻接的晶体管电介质(22)，并且具有通过晶体管电介质(22)与沟道区(24)分离的控制区(34)，其特征在于，控制区(34)由单晶材料制造。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
