[发明专利]包含延长纳米级元件的器件及制造方法

摘要

揭示了包含延长纳米级元件的器件的一种制造方法以及这种器件。此器件包含外延生长层，其中置入例如碳纳米管的延长纳米级元件器件。提供支持外延层的外延生长的基片，将延长纳米级元件置于该基片上并且通过外延层外延地快速生长。该延长纳米级元件由此至少部分地由外延生长层封装。在该层中制备一个或者多个部件，该一个或者多个部件通过平版印刷的方法制备。因此可以提供以碳纳米管作为活性元件的器件。该方法适用于在传统半导体器件和纳米器件之间混合的混合装置。

主权项

1.一种使用至少一个外延层快速生长延长纳米级元件的方法，该方法包括步骤：(a)提供基片，其中此基片或者至少基片的顶层具有支持外延层的外延生长的表面；(b)将延长纳米级元件置于该基片上；(c)用外延层外延地快速生长该基片和延长纳米级元件，并且由此至少部分地将该延长纳米级元件封装到外延生长层中；以及，(d)在该层中制备一个或者多个部件，该一个或者多个部件通过平版印刷的方式制备。