[发明专利]具有纳米级外延过生长的量子点光电器件以及制造方法无效
| 申请号： | 200480029084.6 | 申请日： | 2004-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1894799A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·B·斯托克斯;穆罕默德－阿里·哈桑;卡迈勒·孙德拉桑;詹尼弗·G·帕甘 | 申请（专利权）人： | 点度量技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种在无机宽带隙异质结构中引进量子点作为电致发光层的光电器件。量子点起到器件的光学有源组件的作用，并且在多层量子点的实施例中，有利于在具有非晶格匹配衬底的异质结构中的纳米级外延横向过生长(NELOG)。与光泵浦并呈现光致发光不同，在这样的器件中的量子点是电泵浦的并呈现电致发光。由于电致发光中不存在固有的“斯托克斯损耗”，所以本发明的器件潜在地具有比光泵浦量子点器件更高的效率。从本发明得到的器件能够提供深绿色可见光，并且通过混合点的不同尺寸和组分并控制制造工艺，可获得可见光谱中的任何其他颜色，包括白光。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 外延 生长 量子 光电 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子点光电器件，该器件包括：第一导电类型的第一层；量子点层，其仅布置在第一层的一部分上，使得第一层的其他部分保持不被量子点层覆盖；以及与第一导电类型不同的第二导电类型的第二层，其布置在所述量子点层和第一层上。
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