[发明专利]气相生长方法及气相生长装置无效
| 申请号： | 200480029082.7 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1864246A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 二川正康;柿本典子 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使生长条件不同，也可形成均一性较高的外延层的气相生长方法及气相生长装置。该气相生长方法是在反应室(2)内利用原料气体(15)在基板(7)上形成薄膜，其特征在于：使用包含反应室(2)；向基板(7)上供给气体原料、并排出原料气体(15)的流路(5)；保持基板(7)的基板保持部；使基板保持部与流路(5)相对地移动的移动部(12)；控制移动部(12)的控制部(13)；以及加热基板(7)的加热部(10)的装置。控制部(13)在晶体生长前预先计测各生长条件的流路(5)与基板保持部的相对位置，保存计测的位置数据，并依据设定的生长条件与保存的位置数据，控制基板保持部或流路(5)的位置，以使流路(5)与基板(7)的相对位置的变化变小。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种气相生长方法，是在反应室(2)内利用原料气体(15)在基板(7)上形成薄膜的气相生长方法，其特征在于，使用包含下列部的装置：反应室(2)；流路(5)，其向所述基板(7)上供给原料气体(15)、并排出原料气体(15)；基板保持部，其保持所述基板(7)；移动部(12)，其使该基板保持部与所述流路(5)相对移动；控制部(13)，其控制该移动部(12)；以及加热部(10)，其加热所述基板(7)；且所述控制部(13)在晶体生长前预先计测各生长条件的流路(5)与基板保持部的相对位置，保存计测的位置数据，依据设定的生长条件与保存的位置数据，控制基板保持部或流路(5)的位置，使得流路(5)与基板(7)的相对位置的变化变小。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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