[发明专利]具有低饱和电压的双极晶体管无效
| 申请号： | 200480028769.9 | 申请日： | 2004-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1864267A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 戴维·凯西 | 申请（专利权）人： | 赛特克斯公共有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/417;H01L29/732 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种具有小于约500mOhms.mm2的特定面积电阻的双极晶体管，包括定义集电极区域(2)的第一导电型的第一半导体区域。第二导电型的第二半导体区域定义基极区域(3)。第一导电型的第三半导体区域定义发射极区域(4)。金属层提供接触所述基极(3)和发射极区域(4)的触点。金属层具有大于约3μm的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 饱和 电压 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种双极晶体管，包括：定义集电极区域的第一导电型的第一半导体区域；定义基极区域的第二导电型的第二半导体区域；定义发射极区域的所述第一导电型的第三半导体区域；和提供接触所述基极和发射极区域的触点的金属层；其中，晶体管具有小于500mOhms.mm2的特定面积电阻；其中，所述金属层具有大于约3μm的厚度。
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