[发明专利]使用各向同性蚀刻工艺的肖特基势垒MOSFET制造方法无效
| 申请号： | 200480028742.X | 申请日： | 2004-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN1868045A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | J·P·斯奈德;J·M·拉森 | 申请（专利权）人： | 斯平内克半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种制造用于调整电流量的晶体管器件的方法，其中，该器件具有肖特基势垒金属源极—漏极接触。在一个实施例中，该方法在形成金属源极—漏极接触之前采用各向同性蚀刻工艺，以对相对于沟道区域的肖特基势垒结位置提供更好的控制。对于肖特基势垒10结位置的可控制性的改进使得驱动电流增加和器件性能优化，从而显著改进可制造性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 各向同性 蚀刻 工艺 肖特基势垒 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造用于调整电流量的器件的方法，该方法包括：制备半导体衬底；在所述半导体衬底上制备栅极电极；在接近于所述栅极电极的区域内暴露所述半导体衬底；使用局部各向同性蚀刻将所述半导体衬底蚀刻在所述暴露区域上；在所述半导体衬底的蚀刻区域内沉积金属薄膜；以及，金属和所述衬底反应，以形成肖特基或类肖特基源极电极或漏极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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