[发明专利]等离子处理系统有效
| 申请号： | 200480028545.8 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1860594A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 三好秀明;格姆努·兰吉特·达马塞纳;东浦勉;杰克A·吉尔摩;约瑟夫J·奥瑟伯恩;特蕾莎·贝泽 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;先进能源工业公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种等离子处理系统(100)，包括具有基板支架(130)和电极(125)的处理腔(120)。处理系统包括压力控制系统、气体供给系和监控装置(160)。多频RF电源(110)经由具有单一可变元件的匹配电路(115)与电极(125)连结。多频RF电源设定为第一频率将等离子点火，设定为第二频率维持等离子。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 系统 | ||
【主权项】：
1.一种对等离子处理系统进行操作的方法，具备：在处理腔内的基板支架上配置基板的工序；对上述等离子处理系统进行初始化的工序；使用来自与上述处理腔内的电极连结的第一RF电源的、具有第一频率的第一信号，将等离子点火的工序；以及使用具有第二频率的第二信号来维持上述等离子的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
