[发明专利]利用连续流沉积来沉积金属层的方法无效
申请号: | 200480028499.1 | 申请日: | 2004-09-07 |
公开(公告)号: | CN1860588A | 公开(公告)日: | 2006-11-08 |
发明(设计)人: | 松田司;池田太郎;波多野达夫;立花光博;山崎英亮;格特·J·莱乌辛克;芬顿·R·麦克非;桑德拉·G·马尔霍特拉;安德鲁·H·西蒙;约翰·J·尤尔坎斯 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;美国商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/285 | 分类号: | H01L21/285;C23C16/16;H01L21/768 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王怡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种利用连续流沉积工艺来沉积具有良好表面形貌的金属层的方法,该方法包括使处理室中的衬底交替暴露于金属-羰基前驱气和还原气中。在暴露于金属-羰基前驱气过程中,通过热分解在衬底上沉积薄金属层,随后使该金属层暴露于还原气中以利于从该金属层中除去反应副产物。可以重复金属-羰基前驱气和还原气暴露步骤直到形成期望厚度的金属层。金属羰基前驱体例如可以选自W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6和Ru3(CO)12。 | ||
搜索关键词: | 利用 连续流 沉积 金属 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在衬底上沉积金属层的方法,所述方法包括:a)将衬底提供到处理室中;b)使所述衬底暴露于金属-羰基前驱气中;c)由所述金属-羰基前驱气的热分解在所述衬底上形成金属层;d)使所述金属层暴露于还原气中;和e)重复所述衬底的所述暴露步骤,所述金属层的所述形成步骤和所述暴露步骤直至形成期望厚度的金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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