[发明专利]用于高量子效率的倾斜钉扎光电二极管及形成方法

摘要

公开了一种钉扎光电二极管，其具有从栅极结构的电有效区域横向移位的第一导电型表面层和通过倾斜注入形成的第二导电型电荷收集区。电荷收集区注入的角度可以设计成使该电荷收集区与该像素传感器单元的转移栅极的相邻边缘接触，因此将栅极重叠区和不希望有的势垒电位减到最小。

主权项

1.一种成像器件用的光电二极管，所述光电二极管包括：第一导电型的第一层，其在衬底中形成，并从电荷转移晶体管的栅极的电有效部分横向移位约0埃至约5000埃的距离；以及第二导电型的电荷收集区，其在所述第一层的下面形成，用以累积光生成的电荷，所述电荷收集区邻近所述晶体管栅极，所述栅极将在所述电荷收集区累积的电荷转移到所述第二导电型的搀杂区。