[发明专利]具有多孔性碳化硅基层的发光二极管及其制法有效
| 申请号： | 200480027969.2 | 申请日： | 2004-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1860619A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 郦挺;J·艾贝森;B·科勒 | 申请（专利权）人： | 美商克立股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种用于在半导体材料表面上形成多孔层的方法与设备，其中提供电解质且将其与半导体材料层的一或多个表面接触置放。将电解质加热且在该电解质与半导体材料上引入偏压而引起电流在电解质与半导体材料之间流动。电流在与电解质接触的半导体材料的一或多个表面上形成多孔层。具有其多孔层的半导体材料可充当用于光发射器的基层。可在基层上形成半导体发射区域。半导体发射区域能够回应于偏压全方向地发射光，而使多孔层增强通过基层的发射区域的光的提取。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多孔 碳化硅 基层 发光二极管 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种光发射器，包括：具有多孔层的基层；以及形成于所述基层上的半导体发射区域，所述发射区域能响应于偏压全方向地发光，所述多孔层增强通过该基层的所述发射区域的光的提取。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美商克立股份有限公司，未经美商克立股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480027969.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
