[发明专利]热处理装置无效
| 申请号： | 200480027700.4 | 申请日： | 2004-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1856863A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 清水正裕;河西繁;米田昌刚 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的热处理装置，是用于对被处理体实施温度在400℃以上的退火处理等热处理的热处理装置。该装置设置有：在顶部具有透过窗(8)的处理容器(4)；设置于该处理容器内与上述透过窗相向，装载被处理体(W)的装载台(10)；设置于处理容器的上方，通过上述透过窗对被处理体照射热射线，从而加热被处理体的多个加热灯(42A、42B)；设置于装载台，至少能够对被处理体进行冷却的热电变换器(24)。在被处理体升温时主要利用来自加热灯的热射线进行加热，降温时使用热电交换器强制冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种热处理装置，其特征在于，用于在400℃以上的温度下对被处理体实施热处理，具有：在顶部具有透过窗的处理容器；设置在该处理容器内，与所述透过窗相向的用于装载被处理体的装载台；设置在所述处理容器的上方，通过所述透过窗对被处理体照射热射线，对被处理体进行加热的多个加热灯；以及设置于所述装载台，至少能够对被处理体进行冷却的热电变换器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
