[发明专利]具有一隔离结构的高电压LDMOS晶体管

摘要

本发明是有关于一种高电压LDMOS晶体管，包括位于一N型阱的一扩展漏极区中的一P型场区和多个分离的P型场区。P型场区和分离的P型场区在N型阱中形成接面场，其中一漂移区在击穿发生前被完全空乏。因此，获得较高击穿电压并且允许N型阱可具有较高掺杂密度。较高的掺杂密度能够有效减小LDMOS晶体管的接通电阻。此外，在源极扩散区之下生成的N型阱部分为源极区提供一低阻抗路径，其限制了漏极区与源极区之间的晶体管电流。

主权项

1.一种晶体管，其特征在于其包括：一P型衬底；形成于所述P型衬底中的一第一扩散区以及一第二扩散区；其中含有N型导电离子的所述第一扩散区和所述第二扩散区在所述P型衬底中形成一N型阱；其中所述第一扩散区包括一扩展漏极区；一含有N+型导电离子的漏极扩散区，在所述扩展漏极区中形成一漏极区；一含有P型导电离子的第三扩散区，包括形成于所述扩展漏极区中的一P型场区和多个分离的P型场区；其中所述分离的P型场区与所述P型场区相比更接近所述漏极区，且其中所述P型场区和所述分离的P型场区生成一接面场；一具有N+型导电离子的源极扩散区，在由所述第二扩散区形成的所述N型阱中形成一源极；一通道，形成于所述源极区与所述漏极区之间；一多晶硅栅极，形成于所述通道之上以控制所述通道流动的电流；一含有P+型导电离子的接触扩散区，在由所述第二扩散区形成的所述N型阱中形成一接触区；和一含有P型导电离子的第四扩散区，在由所述第二扩散区形成的所述N型阱中形成一隔离P型阱以防止击穿，其中所述隔离P型阱封闭所述源极区和所述接触区。