[发明专利]半导体开关的高频控制无效
| 申请号： | 200480025681.1 | 申请日： | 2004-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1849748A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | T·G·托勒;T·迪尔鲍姆;G·绍尔莱恩德;T·洛佩斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/0412 | 分类号： | H03K17/0412 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 谐振栅驱动电路提供了例如MOSFET的有效开关。然而，谐振栅驱动电路的操作常常不允许其中需要高的开关频率的应用。根据本发明，执行谐振栅驱动电路的电感的预充电。这允许高度有效的和快速的MOSFET的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 高频 控制 | ||
【主权项】：
1.用于驱动半导体开关的谐振驱动电路的操作方法，其中驱动电路包括第一开关，用于将电源连接到半导体开关的控制端；第二开关，其连接在地和半导体开关的控制端之间；和第三开关，用于将半导体开关的控制端经由电感连接到电位，该方法包括步骤：通过在开始半导体开关的开关之前开关第三开关，对电感预充电。
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