[发明专利]具有电容器的集成电路装置及制造方法有效
| 申请号： | 200480025393.6 | 申请日： | 2004-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1846296A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | T·格贝尔;J·赫尔内德;H·克尔纳;A·米切尔;M·施维尔德;M·泽克;H·托尔维斯滕 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明尤其涉及一种集成电路(10)，其包括同步制备的电容器(64)和精密电阻器(57)。电容器(64)的电介质(68)优选地通过阳极氧化制备。基底层(58，71)用于保护待阳极氧化的材料(66)，所述层还防止周围区域阳极氧化。这样可以制备极高质量的电介质(68)和极高质量的电容器(64)以及集成电路(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容器 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置(10)，具有电容器(64)，其包括由金属或金属合金制成的导电的底部电极(66)，由底部电极(66)中包含的材料的氧化物形成并生长在底部电极(66)上的电介质(68)，以及导电的覆盖电极(70)，电学绝缘基底层(71)，其包括与电介质(68)相邻的切口(108)，安置在面对电介质(68)的底部电极(66)的一侧上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480025393.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种通道校正的方法和系统
- 下一篇：一种超疏水的磁性碳膜及其制备方法和用途
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
