[发明专利]含有有机半导体的集成电路和生产集成电路的方法无效

专利信息
申请号: 200480024940.9 申请日: 2004-08-24
公开(公告)号: CN1846319A 公开(公告)日: 2006-10-11
发明(设计)人: M·哈利克;H·克劳克;G·施密德;A·瓦尔特;U·茨施尚 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01B3/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 韦欣华;李连涛
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及含有有机半导体、尤其是含有介电层的有机场效应晶体管(OEFT)的集成电路,可由a)100份至少一种可交联的碱性聚合物,b)10-20份至少一种二苯甲醇或三苯甲醇化合物作为亲电性交联组分,c)0.2-10份至少一种光敏酸发生剂溶于d)至少一种溶剂中组成的聚合物配剂制备。本发明还涉及一种制备集成电路的方法。由此能够制备含有介电层的集成电路、尤其是在低温下制备OFETs。
搜索关键词: 含有 有机半导体 集成电路 生产 方法
【主权项】:
1.具有有机半导体、尤其是含有介电层的有机场效应晶体管(OEFT)的集成电路,其可通过由下列组分组成的聚合物制剂制备:a)100份至少一种可交联的原料聚合物,b)10-20份至少一种二苯甲醇化合物或者三苯甲醇化合物作为亲电性交联组分,c)0.2-10份至少一种光敏酸发生剂,和d)至少一种溶剂。
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