[发明专利]用于存储开关的受控衬底电压有效
| 申请号： | 200480024932.4 | 申请日： | 2004-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1846274A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | P·佩赫米勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C11/404;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;魏军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 存储器件中的体触点的活动控制能在器件工作期间提供可变的衬底电压。体触点可用于调整激活的存储单元中开关的体偏置，同时维持不活动的存储单元中开关的体偏置。这就能降低体效应(即是由于衬底或本体电压的变化所引起的阈值电压的变化)并且因此能够在激活字线(WL)的同时提供改善的矩阵器件性能(例如降低数据不纯)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 开关 受控 衬底 电压 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM设备，包括：一个存储单元，包括具有衬底井的晶体管；和一个与所述衬底井耦合的电压调整器，用于调整所述衬底井上的电压。
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