[发明专利]制备碳化硅单晶的方法

摘要

本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，其能快速、稳定和连续地生长高质量碳化硅单晶，并既能增加块状单晶尺寸又能提高薄膜单晶质量，该方法包括：从底部按顺序堆叠碳化硅源材料棒、溶剂、晶种和在其底端支撑晶种的支撑棒，以形成柱状工件，加热作为柱状工件底端的源材料棒底端，并冷却作为柱状工件顶端的支撑棒顶端，以在柱状工件内部形成温度梯度，从而使溶剂的顶端面温度变得比底端面低；并使得碳化硅单晶从晶种开始，连续向下生长，其中所述方法还包括使用内圆筒形基座以紧密环绕柱状工件的外圆周。

主权项

1.一种通过使用为柱状工件在其纵向上提供温度梯度的温度梯度炉从溶液中沉淀来制备碳化硅单晶的方法，包括：使用如下温度梯度炉作为所述温度梯度炉，该温度梯度炉具有环绕所述柱状工件外圆周的绝热壁、用于通过加热基座来加热所述柱状工件底端的加热装置、和用于通过冷却基座来冷却所述柱状工件顶端的冷却装置；在所述炉内从底部按顺序堆叠由碳化硅组成的源材料棒、溶剂、晶种和在其底端支撑所述晶种的支撑棒，以便形成所述柱状工件，通过所述加热装置来加热作为柱状工件所述底端的所述源材料棒底端，并通过所述冷却装置来冷却作为柱状工件所述顶端的所述支撑棒顶端，以在所述柱状工件内部形成温度梯度，从而使顶端面温度变得比所述溶剂的底端面温度低；和使碳化硅单晶从所述晶种开始，连续向下生长，其中所述方法还包括：使用内圆筒形基座以紧密环绕所述柱状工件的外圆周。