[发明专利]杂质导入层的形成方法、被处理物的清洗方法、杂质导入装置、和器件的制造方法无效
| 申请号： | 200480024667.X | 申请日： | 2004-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1842896A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木雄一朗;冈下胜己;水野文二;伊藤裕之;金成国;田村秀贵;中山一郎;奥村智洋;前嶋聪 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基板等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。 | ||
| 搜索关键词： | 杂质 导入 形成 方法 处理 清洗 装置 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种杂质导入层的形成方法，其特征在于，包括：将杂质导入固体基体的一个主面的第一工序；形成氧化膜的第二工序；和实施退火的第三工序，所述第二工序是至少在所述固体基体的导入了杂质的一个主面上形成氧化膜的工序，所述第三工序是使所述杂质活化的工序。
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