[发明专利]纳米级物质的结构控制方法和使用该结构控制方法的纳米级低维量子结构的制造方法无效
| 申请号： | 200480024235.9 | 申请日： | 2004-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1839094A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 前桥兼三;井上恒一;松本和彦;大野恭秀 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;C01B21/064;C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 武玉琴;王继文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在氧氛围下，向纳米级低维量子结构的混合物照射电磁波，有选择地使状态密度与照射的电磁波共振的低维量子结构氧化。这样可以从纳米级低维量子结构的混合物中，有选择地使特定结构的低维量子结构消失。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 物质 结构 控制 方法 使用 级低维 量子 制造 | ||
【主权项】：
1.一种结构控制方法，其特征在于，在氧氛围下，向状态密度不同的纳米级低维量子结构的混合物照射电磁波，有选择地使状态密度与该电磁波共振的低维量子结构氧化。
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