[发明专利]曝光设备、曝光方法和器件制造方法有效
| 申请号： | 200480023577.9 | 申请日： | 2004-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1836312A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 长坂博之;石井勇树;牧野内进 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种通过把曝光光经由投影光学系统和液体照射到被放置在所述投影光学系统的图像面一侧的基片而曝光基片的曝光设备，该曝光设备包括：液体供应机构，用来把液体供应到基片上；液体回收机构，用来回收被供应到基片上的液体；以及其中当曝光光照射到投影光学系统的图像面一侧时，液体回收机构不执行液体的回收。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 设备 方法 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种通过把曝光光经由投影光学系统和液体照射到被放置在所述投影光学系统的图像面一侧的基片上而曝光所述基片的曝光设备，所述曝光设备包括：液体供应机构，其把液体供应到所述基片上；液体回收机构，其回收被供应到所述基片上的液体；以及其中当所述曝光光照射到所述投影光学系统的图像面一侧时，所述液体回收机构不执行所述液体的回收。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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