[发明专利]稀土类金属络合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法无效
申请号: | 200480022864.8 | 申请日: | 2004-08-02 |
公开(公告)号: | CN1832952A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 芳仲笃也;佐藤宏树;藤本龙作 | 申请(专利权)人: | 旭电化工业株式会社 |
主分类号: | C07F17/00 | 分类号: | C07F17/00;C23C16/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的稀土类金属络合物是以下述通式(I)表示的稀土类金属的三仲丁基环戊二烯基络合物,其在耐热性和挥发性方面优异,是适用于薄膜形成用原料的液态稀土类金属络合物,式中,M表示稀土类金属原子。 | ||
搜索关键词: | 稀土 金属 络合物 薄膜 形成 原料 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种以下述通式(I)表示的稀土类金属的三仲丁基环戊二烯基络合物,
式中,M表示稀土类金属原子。
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