[发明专利]具有多个组件浮置栅极的电可擦可编程只读存储器

摘要

所构成的EEPRM器件在第一有源区域(21)中具有多个组件的浮置栅极结构，包括由多晶硅衬垫元件(69)所环绕且有适用于由电子隧道的薄的氧化层(61)的垂直层(63)相互隔开的中心多晶硅本体(51)。辅助有源区域(23)与第一有源区域相绝缘，被用作为编程的电荷储存器且通过延伸的离子掺杂区域(45)与第一有源区域相连接。多个罩(99)与多个衬垫(69)相接触，但不与中心多个本体(51)接触。通过多个罩且进入到中心多个本体的孔(82)可采用金属(91)填充，它与多个罩电连接在一起，并使多个衬垫与中心多个本体相连接。

主权项

1.一种适用于电可擦可编程只读存储器的多个组件浮置栅极，包括：一主多晶硅本体，沉积在所述半导体基片上且在第一有源区域中与其电绝缘；源极和漏极，掺杂在所述半导体基片中的主多晶硅本体的相对两侧，所述漏极掺杂所具有尺寸超过所述源极掺杂；多晶硅衬垫，沉积在所述半导体基片上且与其电性能绝缘，以及由一层薄的氧化层与所述主多晶硅本体相隔开，所述薄的氧化层延伸在所述主多晶硅本体上并且全部在所述第一有源区域中；多晶硅罩，沉积在所述多晶硅衬垫上且与其电接触，以及沉积在所述主多晶硅本体上的薄的氧化层上，所述多晶硅罩具有可以通过罩和通过所述主多晶硅本体的金属填充的孔，从而使得在所述孔中的金属可以采用所述多晶硅衬垫与所述主多晶硅本体电连接在一起；第二有源区域，具有掺杂区域，所述第二有源区域与所述第一有源区域相绝缘，所述漏极掺杂电性能延伸至在所述第二有源区域中的掺杂区域，其中提供了适用于编程的电荷存储储存器。