[发明专利]形成非对称侧壁间隔物的方法

摘要

本发明揭示了一种用于形成非对称间隔物的方法，该方法可整合至集成电路半导体器件的制造工艺中。该方法包括在衬底上形成栅极结构(15)，以及形成覆盖该栅极结构与衬底的侧壁层(10)，其中该侧壁层包含覆盖该栅极结构第一侧壁的第一部分。光刻胶结构(11)邻近该第一部分而形成，且使该光刻胶结构经受离子束辐射。该光刻胶结构用来给该第一部分的至少一部分遮蔽掉离子束。在辐射期间，调整晶片的方向使得在该离子束的路径(13，17)与该第一侧壁的表面之间有一非正交的倾角。因为未被遮蔽侧壁部分的辐射损伤让随后的蚀刻能以较快的速率进行，所以可以形成非对称间隔物。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成第一栅极结构，所述第一栅极结构具有面向第一方向的第一侧以及面向第二方向的第二侧，其中所述第一侧与所述第二侧相互平行，且所述第一方向与第二方向基本上相反；形成覆盖所述第一栅极结构的侧壁层，其中所述侧壁层包含覆盖所述第一侧的第一侧壁层部分以及覆盖所述第二侧的第二侧壁层部分；以及使所述第一侧壁层部分经受离子剂量，而不使所述第二侧壁层部分经受所述离子剂量。