[发明专利]使用自组装单层的硅结晶法无效
| 申请号： | 200480020712.4 | 申请日： | 2004-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1826683A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | J·G·库亚德;R·R·小汉考克;M·A·刘易斯 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包括衬底的显示器件，在所述衬底上设置有晶体或多晶半导体材料层，其中所述衬底具有低于所述层的形成温度的应变点。所述晶体或多晶材料是通过以下方法构建，所述方法包括在衬底上提供自组装单层(SAM)、在SAM上沉积材料层和使所述层基本结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 组装 单层 结晶 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上构建单晶或多晶材料的方法，包括：在所述衬底上沉积自组装单层(SAM)；在SAM上沉积层；和使所述层基本结晶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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