[发明专利]半导体装置的制造方法及衬底处理装置有效
| 申请号： | 200480020397.5 | 申请日： | 2004-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1823404A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 寿崎健一;王杰 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法，该方法包括以下工序：在反应炉1内，在衬底10上进行成膜的工序；将成膜后的衬底10从反应炉1中卸载后，在反应炉1内没有衬底10的状态下，强制冷却反应炉1内部的工序。与自然空气冷却比较，使反应炉1内部附着的堆积膜的应力增大，积极地产生热应力，使堆积膜发生强于自然空气冷却的强制龟裂。因发生龟裂而飞散的微粒通过大气压状态下的炉内净化被强制且有效地排放到反应炉外。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 衬底 处理 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括以下工序：将衬底装载到反应炉内的工序；在所述反应炉内，在所述衬底上进行成膜的工序；将成膜后的所述衬底从所述反应炉内卸载的工序；卸载所述衬底后，在所述反应炉内没有所述衬底的状态下强制冷却所述反应炉的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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